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產(chǎn)品中心

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ES3000 V3 NVMe SSD

產(chǎn)品概述

ES3000 V3 NVMe SSD
立即聯(lián)系

產(chǎn)品詳細介紹

ES3000 V3是華為第六代企業(yè)級高性能SSD,具有性能高、響應(yīng)快、可靠性高等特點,解決硬盤IO性能瓶頸,大幅提升數(shù)據(jù)庫、云服務(wù)、虛擬化、分布式存儲、大數(shù)據(jù)等業(yè)務(wù)應(yīng)用性能,幫助客戶降低系統(tǒng)TCO。

 

關(guān)鍵特性

高性能、高可靠、易維護

 

 

  • 采用華為自研SSD控制器芯片、六代產(chǎn)品演進SSD算法技術(shù)
  • PCIe 3.0 x4總線接口,NVMe 1.2標準,提供U.2盤(2.5寸)和半高半長卡產(chǎn)品形態(tài)
  • 800GB~3.2TB容量,高達3.2GB/s帶寬和80萬IOPS性能,滿足多種業(yè)務(wù)需求
  • 操作系統(tǒng)免驅(qū),可做啟動盤,支持熱插拔,即插即用
  • 提供原子寫(Atomic Write)、SR-IOV、多Name-Space等特性,優(yōu)化數(shù)據(jù)庫、虛擬化等應(yīng)用
  • 與服務(wù)器BMC管理無縫結(jié)合,實時監(jiān)測SSD的壽命、溫度、功耗、SMART等關(guān)鍵信息

 

 

技術(shù)規(guī)格

型號 ES3500P V3 ES3600P V3
產(chǎn)品形態(tài)  U.2盤(2.5寸) U.2盤(2.5寸) 
總線接口 PCIe 3.0 x4 PCIe 3.0 x4
NVMe標準 NVMe 1.2 NVMe 1.2
Flash顆粒 MLC MLC
可用容量 800 GB 1.2 TB 3.2 TB 800 GB 1.2 TB 1.6 TB 2.0 TB 3.2 TB 800 GB
順序讀帶寬(MB/s) 2,400 2,900 2,900 2,700 3,100 3,200 2,750 3,100 2,700
穩(wěn)定隨機讀IOPS @4KB 600K 710K 715K 680K 800K 800K 650K 800K 680K
平均讀時延@4KB 88 µs 88 µs 88 µs 88 µs 88 µs 88 µs 88 µs 88 µs 88 µs
順序?qū)憥?MB/s) 1,000 1,700 1,800 1,100 1,800 1,950 1,550 1,950 1,100
最大隨機寫IOPS @4KB 250K 405K 428K 275K 428K 464K 380K 464K 275K
穩(wěn)定隨機寫IOPS @4KB 55K 85K 78K 100K 160K 175K 110K 170K 100K
平均寫時延@4KB 18 µs 18 µs 18 µs 18 µs 18 µs 18 µs 18 µs 18 µs 18 µs
穩(wěn)定隨機7:3讀/寫混合IOPS @4KB 150K 220K 225K 230K 387K 390K 285K 390K 230K
平均功耗(Idle/ Active) 7/ 13.5 W 7/ 17 W 7/ 21 W 7/ 14 W 7/ 17.5 W 7/ 18.5 W 7/ 18 W 7/ 22 W 7/ 14 W
數(shù)據(jù)寫入總量(PBW)* 1.46 2.19 5.84 4.38 6.57 8.76 10.95 17.52 4.38
5年DWPD壽命** 1 1 1 3 3

備注:規(guī)格如有更改,恕不另行通知。性能結(jié)果基于內(nèi)部測試,可能因配置和系統(tǒng)差異而不同,包括產(chǎn)品容量、操作系統(tǒng)版本、測試工具等。
1、數(shù)據(jù)寫入總量(PBW,PetaByte Writes)*:在4KB IO size和4KB對齊條件下、100%隨機寫的測試結(jié)果,計算公式:數(shù)據(jù)寫入總量PBW=SSD容量 * DWPD * 365天 * 5年。
2、5年DWPD壽命**:驅(qū)動器每天全盤寫入次數(shù)(DWPD,Disk Writes per Day),此壓力下持續(xù)工作5年。
3、帶寬性能測試標準:使用FIO工具在RHEL 7.0系統(tǒng)上用1線程512QD 1MB順序讀寫的帶寬。
4、IOPS性能測試標準:使用FIO工具在RHEL 7.0系統(tǒng)上用8線程64QD 4KB隨機讀寫的IOPS。
5、平均時延測試標準:使用FIO工具在RHEL 7.0系統(tǒng)上用1線程1QD 4KB隨機讀寫的平均時延。


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